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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:00 |
富山 | 富山県民会館 | Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 ○水谷朋子・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）  SDM2011-83 ICD2011-51 |
[more] | SDM2011-83 ICD2011-51 pp.65-68 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:25 |
富山 | 富山県民会館 | 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 ○Anil Kumar・水谷朋子（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-84 ICD2011-52 |
[more] | SDM2011-84 ICD2011-52 pp.69-73 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-22 10:25 |
広島 | 広島工業大学 | アナログ基本回路における基板雑音感度の解析法 ○高谷 聡・坂東要志（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete）・永田 真（神戸大） ICD2011-28 |
アナログ回路の基板雑音応答は、雑音の発生源から対象回路までの基板伝播と、回路を構成するデバイスの感度とで構成されており、... [more] | ICD2011-28 pp.73-78 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2010-11-29 11:20 |
福岡 | 九州大学医学部百年講堂 | アナログ基本回路の基板雑音感度に関する考察 ○高谷 聡・坂東要志・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） CPM2010-126 ICD2010-85 |
アナログ増幅回路における信号利得と基板ノイズ応答のその場評価システムを90 nm CMOSテクノロジで試作し、ジオメトリ... [more] | CPM2010-126 ICD2010-85 pp.13-17 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2010-11-29 14:10 |
福岡 | 九州大学医学部百年講堂 | ［招待講演］LSIチップ光配線開発の現状と課題 ○大橋啓之（MIRAI-Selete/NEC）・最上 徹（MIRAI-Selete） CPM2010-129 ICD2010-88 |
LSIチップ上への光配線技術導入は，シグナルインテグリティおよびピン数問題に対する優れた回答になる可能性を持っている．課... [more] | CPM2010-129 ICD2010-88 pp.31-36 |
| SDM | 2010-11-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング ○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-180 |
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] | SDM2010-180 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:20 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 ○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健（東大）・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-144 ICD2010-59 |
[more] | SDM2010-144 ICD2010-59 pp.111-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:20 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | 90 nm CMOS差動対トランジスタのVthとAC応答のその場評価 ○坂東要志・高谷 聡・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） ICD2010-23 |
[more] | ICD2010-23 pp.11-14 |
| SIP, CAS, CS (共催) |
2010-03-02 09:00 |
沖縄 | 宮古島 ブリーズベイマリーナ | スキュー耐性の高い高効率Holdエラー補償手法 ○中村祐一（NEC）・菅波和幸（NECソフトウェア北陸）・江村秀之（NECエレクトロニクス） CAS2009-107 SIP2009-152 CS2009-102 |
[more] | CAS2009-107 SIP2009-152 CS2009-102 pp.167-172 |
| DC | 2010-02-15 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | 統計的手法による微小Iddq変動外れ値の検出 ○中村芳行・田中正史（NECエレクトロニクス） DC2009-65 |
プロセスの微細化に伴いIddqのばらつきが増大しており、Iddqテストが困難になっている。このため、Iddqの変動を観測... [more] | DC2009-65 pp.1-5 |
| SDM | 2010-02-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線 ○林 喜宏・田上政由・古武直也・井上尚也・中沢絵美子・有田幸司（NECエレクトロニクス） SDM2009-183 |
28ｎｍ世代以降の最先端ＬＳＩや車載用途などの高い信頼性が必要とされるＬＳＩに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたＣｕダマシ... [more] | SDM2009-183 pp.7-11 |
| SDM | 2010-02-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発 ○井口 学・横川慎二・相澤宏一・角原由美・土屋秀昭・岡田紀雄・今井清隆・戸原誠人・藤井邦宏（NECエレクトロニクス）・渡部忠兆（東芝） SDM2009-186 |
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜（k=2.4）と低誘電率積層バリア膜（k=3.9）を用いた32nmノード配線構... [more] | SDM2009-186 pp.25-29 |
| SDM | 2010-02-05 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 ○山道新太郎・森 健太郎・菊池 克・村井秀哉・大島大輔・中島嘉樹（NEC）・副島康志・川野連也（NECエレクトロニクス）・村上朝夫（NEC） SDM2009-189 |
インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ－パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5～... [more] | SDM2009-189 pp.43-48 |
| RCS, SIP (共催) |
2010-01-21 15:40 |
福岡 | 九大 | A mechanical-noise suppressor for digital cameras and camcorders ○Akihiko Sugiyama（NEC Corp.）・Tsutomu Maeda・Kwangsoo Park（NEC Electronics） SIP2009-87 RCS2009-221 |
[more] | SIP2009-87 RCS2009-221 pp.83-86 |
| SDM | 2009-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー ○田中克彦（MIRAI-Selete） SDM2009-136 |
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2009-136 pp.7-11 |
| SDM | 2009-11-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144 |
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] | SDM2009-144 pp.49-53 |
| SDM | 2009-11-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147 |
[more] | SDM2009-147 pp.67-71 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2009-10-02 12:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） | フォールディング補間アーキテクチャを用いた自己補正方式6ビット2.7GS/s ADC 中島雄二（NECエレクトロニクス）・○阪口明美・大城戸敏夫（NECマイクロシステム）・松本哲也・四柳道夫（NECエレクトロニクス） ICD2009-53 |
90nm CMOS プロセスを用いて 自己補正方式の6ビット2.7GS/s ADCを開発した。これは、数GHz動作のAD... [more] | ICD2009-53 pp.111-116 |
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